氧化硅抛光液 氧化硅抛光液（CMP抛光液）是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。 广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。

这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。

硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。

润滑作用。主要是指研磨抛光液渗入工件以及磨粒切屑之间所形成的润滑膜，这层膜能够减轻摩擦，使砂轮耐用度增加，有效的防止工件表面粗糙度出现恶化。

抛光：工件通过了粗抛、精抛工艺后，进入抛光工序;也是终实现光学表面层实现的后一个部分，前提下前两者必须要为后一步抛光做好准备，使得在整个抛光过程当中，尽量去除粗抛与精抛所留下的破环层，实现光学表面理想镜面效果。

一些制样技术对金刚石抛光剂的要求更高, 并且对一种特殊的制样方法确切知道需要何种金刚石抛光剂是非常必要的。 对试样的要求高意味对研磨剂要进行临界选择(多晶的金刚石, P) 但是只要一个可接受的试样，使用价格便宜的金刚石产品(单晶金刚石, M)就足够了。制样时选择金刚石产品，制样的质量、时间和成本都必须综合起来考虑。

防锈的特点，能够保证不产生锈蚀，适当的加入防锈剂，需要要求防锈处理，主要是针对水性研磨抛光液而言，对于油性研磨抛光液，一般是不会产生锈蚀的问题。

润滑作用。主要是指研磨抛光液渗入工件以及磨粒切屑之间所形成的润滑膜，这层膜能够减轻摩擦，使砂轮耐用度增加，有效的防止工件表面粗糙度出现恶化。